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IRFP4310Z Transistor N-MOSFET 100V 120A 280W TO247AC
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IRFP4310Z Transistor N-MOSFET 100V 120A 280W TO247AC
Artikelbeschreibung
Leistungs-MOSFET
N
-Kanal im Plastikgehäuse
U
DS
= 100 V
I
D25
= 120 A
R
DS(on)
= 0,006 Ohm
U
GS(th)
= 2,0 V
t
d(on)
= 20 ns
t
d(off)
= 55 ns
P
tot
= 280 W
Gehäuse
TO247AC
Hersteller
International Rectifier (jetzt Infineon)
U
DS
= max.
D
rain-
S
ource Voltage
(Drain-Source Spannung)
I
D25
= m
ax. Continuous
D
rain Current at T
C
=
25
°C
(maximaler Drain-Strom)
R
DS(on)
= max. Drain-Source On-Resistance (maximaler Drain-Source Widerstand)
U
GS(th)
= min. Gate Threshold Voltage
t
d(on)
= Turn-On Delay Time (Einschaltverzögerung)
t
d(off)
= Turn-Off Delay Time (Ausschaltverzögerung)
P
tot
=
P
ower Dissipation (maximale Verlustleistung)
Alle Daten sind Nenndaten, die Toleranzen unterliegen.
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