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5 x IRF9Z34N Transistor P-MOSFET 55V 19A 68W TO220AB von IR
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5 x IRF9Z34N Transistor P-MOSFET 55V 19A 68W TO220AB von IR
Artikelbeschreibung
Leistungs-MOSFET
P
-Kanal im Plastikgehäuse
U
DS
= 55 V
I
D25
= 19 A
R
DS(on)
= 0,100 Ohm
U
GS(th)
= 2,0 V
t
d(on)
= 13 ns
t
d(off)
= 30 ns
P
tot
= 68 W
Gehäuse
TO220AB
Hersteller
International Rectifier (jetzt Infineon)
Lieferumfang: 5 Stück
U
DS
= max.
D
rain-
S
ource Voltage
(Drain-Source Spannung)
I
D25
= m
ax. Continuous
D
rain Current at T
C
=
25
°C
(maximaler Drain-Strom)
R
DS(on)
= max. Drain-Source On-Resistance (maximaler Drain-Source Widerstand)
U
GS(th)
= min. Gate Threshold Voltage
t
d(on)
= Turn-On Delay Time (Einschaltverzögerung)
t
d(off)
= Turn-Off Delay Time (Ausschaltverzögerung)
P
tot
=
P
ower Dissipation (maximale Verlustleistung)
Alle Daten sind Nenndaten, die Toleranzen unterliegen.
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