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2x 2A509B /NEU/ .Mikrowellen-Siliziumdioden, epitaktisch, schaltend....
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€ 6.75

Availability: 47 in stock
  • Marke: USSR
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  • Land / Region der Herstellung: Russische Föderation
  • Condition: Neu
  • Herstellernummer: Does Not Apply
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  • Modell: 2A509B

    Description

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    2A509B Dioden Mikrowellensilizium, epitaktisch, schaltend.
    Das Arbeitselement der Diode ist eine Halbleiterstruktur vom Typ pin.
    Entwickelt für den Einsatz in Schaltgeräten im Zentimeter- und Dezimeter-Wellenlängenbereich.
    Wichtigste technische Parameter der Mikrowellendiode 2A509B:
    * Gesamtkapazität: 0,7...1 pF;
    * Direkter Verlustwiderstand: nicht mehr als 1,5 Ohm;
    • Kritische Frequenz: 150...350 GHz;
    • Diode für gespeicherte Ladung: nicht mehr als 25 NKL;
    * Durchbruchspannung: 200...600 In;
    • Kapazitätsfaktor: 0,3...0,45 pF;
    • Die Induktivitätsdiode: 0,5 NH;
    * Konstante Sperrspannung: 150V;
    * Momentane Sperrspannung: 175 V;
    • Dauerstrom in Vorwärtsrichtung: 100 mA;
    * Wert des zulässigen statischen Potentials: 1000 V;
    * Kontinuierliche Verlustleistung: 2W;
    * Impulsverlustleistung: 1,4 kW;
    * Umgebungstemperatur: -60...+100°C;