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1 Stück FM24CL16B-GTR 16Kbit I2C Schnittstelle FRAM/ferroelektrischer SpeicherIC
€ 1.1
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Description
Technische Daten:Cypress F-RAM (Ferroelectric RAM) kombiniert nichtflüchtige Datenspeicherung mit der hohen Leistung von RAM.
F-RAM bietet schnelle Schreibvorgänge bei voller Schnittstellengeschwindigkeit. F-RAM hat keine Schreibverzögerungen und die Daten sind sofort unbeständig. Herkömmliche, nicht flüchtige Speicher haben Verzögerungen von 5 oder mehr Millisekunden, bevor Daten nicht flüchtig werden. Wenn die Stromversorgung unterbrochen wird, gehen anstehende Daten verloren, es sei denn, das System verfügt über zusätzliche Kapazität oder Batterien, um das System eingeschaltet zu halten, bis Daten gespeichert sind.
F-RAM bietet nahezu unbegrenzte Ausdauer von 100 Billionen Lese -/Schreibzyklen. Herkömmliche, nicht flüchtige Erinnerungen haben in der Regel weniger als 1 Million Zyklusausdauer und zwingen Systemdesigner, komplexe Abnutzungsroutinen und bis zu 4x mehr Dichte zu verwenden, um die Lebensdauer dieser Erinnerungen zu verlängern.
F-RAM verbraucht nur 300 µA Aktiv-und 6 µA Bereitschaftsstrom. Aufgrund der schnellen Schreibgeschwindigkeiten bleibt F-RAM für kurze Zeit aktiv, was einen sehr niedrigen Energieverbrauch zur Folge hat. Herkömmliche, nicht flüchtige Erinnerungen mit Schreibverzögerungen müssen länger aktiv bleiben, was zu einem höheren Energieverbrauch führt.
Serieller F-RAM bietet einen Pin-to-Pin-und Footprint-kompatiblen EEPROM-Ersatz.
Cypress F-RAM Hauptmerkmale
4 Kb bis 4 Mb Dichte
Serielle QSPI, DSPI, SPI und I
2
C-Schnittstellenoptionen
Optionen für parallele Schnittstellen
Geringer Stromverbrauch, sofortige Datenerfassung bei Stromausfall
Ausdauer von 100 Billionen Lese -/Schreibzyklen
Keine Batterien erforderlich, um Daten über Stromausfall zu speichern; RoHS-konform
Strahlung und Magnetfeld tolerant
Prozessorbegleiter mit integrierten analogen und digitalen Funktionen
F-RAM Technologie
Der F-RAM-Chip enthält eine dünne ferroelektrische Folie aus Bleizirkonat-Titan, allgemein als PZT bezeichnet. Die Atome im PZT verändern die Polarität in einem elektrischen Feld und erzeugen so einen leistungsfähigen Binärschalter. Der wichtigste Aspekt des PZT ist jedoch, dass es nicht von Stromunterbrechungen beeinflusst wird, was F-RAM zu einem zuverlässigen, nicht flüchtigen Speicher macht. Ein häufiges Missverständnis ist, dass ferroelektrische Kristalle ferromagnetisch sind oder ähnliche magnetische Eigenschaften haben. Tatsächlich schalten ferroelektrische Materialien in einem elektrischen Feld um und werden nicht von Magnetfeldern beeinflusst.
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